成果信息
本成果涉及一種基于自離子注入SOI材料的近紅外室溫發(fā)光器件，屬于光電子技術領域,。本發(fā)明的發(fā)光器件在1.50-1.60μm范圍的室溫強發(fā)光，器件基于缺陷環(huán)及缺陷環(huán)附近點缺陷的發(fā)光，發(fā)光器件結(jié)構(gòu)從下往上分別是本征Si襯底→注氧的氧化Si隔離層→p+型Si下電極層→發(fā)光有源層→n+型Si上電極層，發(fā)光器件的外量子效率為0.05% ～0.8% ,。 本發(fā)明突出的優(yōu)點為： 1、基于SOI的p-i-n結(jié)上制備的發(fā)光器件繼承了SOI結(jié)構(gòu)所具有的各種優(yōu)點,，其中離子注入?yún)^(qū)域和發(fā)光有源層都在硅薄膜層,； 2,、獲得的發(fā)光器件在室溫下能穩(wěn)定發(fā)光,，解決了近紅外LED器件和激光器低溫才能正常工作的問題； 3,、本發(fā)明提高了器件的外量子效率,，可以達到0.05% -0.8%的范圍，從而增強了器件的發(fā)光強度,。 )
背景介紹
SOI(Silicon On Insulator)材料是為了滿足衛(wèi)星,、導彈、飛船航天電子控制系統(tǒng)的需要而發(fā)展起來的一種新型硅材料,。采用這種材料制作的SOI— CMOS(Complementary Metal-Oxside-Semiconduator)電路,，實現(xiàn)了完全介質(zhì)隔離，具有無鎖定,、高速度,、低功耗和強的抗福射能力等重要優(yōu)點。因而受到世 界各發(fā)達國家的高度重視,。)
應用前景
目前,，基于離子注入SOI材料的近紅外室溫發(fā)光器件能夠獲得外量子效率為0.05% -0.8%的穩(wěn)定的室溫發(fā)光，并且國內(nèi)對離子注入SOI材料發(fā)光性能的研究較少,，因此對它的研制具有廣闊的市場發(fā)展空間和應用價值,。)
主辦單位： 郴州市科學技術局
技術支持： 長沙諾為信息技術有限公司
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