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成果信息

本成果采用應(yīng)變量子阱結(jié)構(gòu)降低器件的閾值電流,、獨特的超大光腔非對稱波導(dǎo)結(jié)構(gòu)改善器件的遠場特性并提高其腔面COD水平,。獨有的MOCVD芯片外延技術(shù),，可以在原子層量級控制外延層的厚度,，使兩種材料的界面實現(xiàn)陡峭生長,，能精確控制各層中的摻雜濃度,，摻雜及厚度均勻性的控制保證了器件量產(chǎn)的一致性,。采用離子鈍化腔面技術(shù)，減少腔面懸掛鍵,，提高器件的可靠性,，且無須價格高昂的真空解理設(shè)備，降低生產(chǎn)成本,。)

背景介紹

半導(dǎo)體激光器具有體積小,、重量輕、轉(zhuǎn)換效率高,、壽命長等優(yōu)勢,，應(yīng)用范圍覆蓋了整個光電子學(xué)領(lǐng)域,，已成為當今光電子科學(xué)的核心技術(shù)。半導(dǎo)體激光器在光纖通信,、光存儲,、材料加工及光刻、醫(yī)療和美容,、娛樂和顯示,、激光測距、激光雷達,、激光武器,、激光警戒、激光制導(dǎo)跟蹤器等方面獲得了廣泛的應(yīng)用,，形成了廣闊的市場,。)

應(yīng)用前景

以光輸出功率在10W以上的9XXnm系列大功率半導(dǎo)體激光器為例，市場需求非常大,，僅國內(nèi)年需就達30萬只以上,，且市場需求還在不斷上升,，但目前全部依賴進口,。大功率半導(dǎo)體激光器在醫(yī)療、工業(yè),、通信,、軍事等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，市場前景廣闊,。)