成果信息
制得的器件開路電壓為630 mV,，短路電流為32.7 mA/cm2,，填充因子為71.7 %,，光電轉換效率達到14.8 %（面積為41.848 mm2）,。該效率由中國計量科學研究院第三方測量獲得（證書編號：GXtc2015-0095）,。該技術采用電沉積工藝,，具有低成本,、高轉換效率、易于規(guī)?；a(chǎn)等優(yōu)勢,。 )
背景介紹
本技術針對現(xiàn)有銅銦鎵硒薄膜太陽電池真空法制備存在的設備投資大、產(chǎn)能低,、難以連續(xù)成產(chǎn),、成本高昂等問題，采用基于電沉積合金預制層后硒化的工藝路線制備銅銦鎵硒薄膜光吸收層,，并采用硫化氫氣氛快速熱處理工藝對其進行表面硫化形成梯度帶隙,。同時結合實驗室開發(fā)的直流濺射Mo、化學水浴沉積CdS,、射頻濺射沉積本征ZnO和直流濺射沉積鋁摻雜ZnO和柵線蒸鍍等技術,，實現(xiàn)高效率銅銦鎵硒薄膜太陽電池的制作。)
應用前景
本技術采用基于電沉積的工藝路線制備銅銦鎵硒薄膜太陽電池，處于國際先進水平,，具有良好的推廣應用前景,。)
主辦單位： 郴州市科學技術局
技術支持： 長沙諾為信息技術有限公司
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