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成果信息

本技術(shù)采用基于溶膠-凝膠的溶液涂覆工藝，突破了制膠,、涂覆,、空氣退火,、硒化、回火等一系列工藝難點,，獲得高結(jié)晶質(zhì)量和低缺陷密度的硒摻雜銅鋅錫硫（即銅鋅錫硫硒CZTSSe）薄膜。以該薄膜作為光吸收層,，同時結(jié)合實驗室開發(fā)的直流濺射Mo,、化學(xué)水浴沉積CdS、射頻濺射沉積本征ZnO和直流濺射沉積鋁摻雜ZnO和柵線蒸鍍等技術(shù),，實現(xiàn)高效率銅鋅錫硫硒薄膜太陽電池的制作,。批量制得的器件光電轉(zhuǎn)換效率均能夠達到8%以上。典型器件的性能如下：開路電壓為451 mV,，短路電流密度為 31.7mA/cm2，填充因子57.7%,，光電轉(zhuǎn)換效率為8.25%,。)

背景介紹

銅鋅錫硫基半導(dǎo)體有高的光吸收系數(shù)和合適的帶隙寬度，且不含銦,、鎵等元素,，具有礦源豐富、環(huán)境友好等特點,，成為新一代薄膜太陽電池光吸收層材料的有力競爭者,。)

應(yīng)用前景

由于該技術(shù)具有方法簡易、成本低廉,、成膜質(zhì)量高等優(yōu)點,，既避免了肼溶液法環(huán)境危害大、操作困難的缺點,，又比真空法（濺射或蒸發(fā)）的成本低,，具有良好的應(yīng)用前景。)