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在Si基板上制備高度（110）取向的鉑金電極

行業(yè)類(lèi)別：金屬材料

所處階段：規(guī)模化生產(chǎn)階段

持有單位：上海交通大學(xué)

轉(zhuǎn)讓方式：技術(shù)轉(zhuǎn)讓,

轉(zhuǎn)讓價(jià)格：面議

預(yù)約服務(wù)

成果信息

選擇合適的緩沖層材料在Si基板上制備（110）取向的Pt電極,，所使用的緩沖層與目前使用最廣泛的Pt(111)/Ti/SiO2/Si基板中的Ti粘結(jié)層具有非常相似的性質(zhì)，幾乎不對(duì)Si基板的性能和沉積的鐵電薄膜的性能產(chǎn)生任何影響,。在Pt為（110）取向的基板上可方便地制備出高質(zhì)量高度（110）取向或外延的鈣鈦礦型鐵電薄膜,。已獲得的高度（110）取向PZT 40/60薄膜性能非常優(yōu)越，其剩余極化可達(dá)到46 μC/cm2,，自發(fā)極化 78μC/cm2,，相對(duì)介電常數(shù) 1600 （1 kHz），熱釋電系數(shù) 7.8×10-4 C m-2 K-1（25攝氏度）,，這些值是目前所有公開(kāi)報(bào)道的 PZT 40/60 薄膜性能值的兩倍之多,。克服了在Pt(111)/Ti/SiO2/Si基板上制備時(shí)鐵電薄膜隨機(jī)取向,、可靠性和一致性差的缺點(diǎn)，通過(guò)使用該基板制備鐵電薄膜的工藝簡(jiǎn)單,，所制備的鐵電薄膜具有很高的質(zhì)量并且高度（110）取向,，電性能優(yōu)越。該薄膜制備技術(shù)是鈣鈦礦型鐵電薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域的革命性突破,。所制備的鐵電薄膜可達(dá)到焦平面非制冷型遠(yuǎn)紅外傳感陣列,，微電子領(lǐng)域中動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）、移相器,、延遲線,、調(diào)制濾波器及微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）等領(lǐng)域?qū)﹁F電壓電薄膜的質(zhì)量要求。)

背景介紹

在Si基板上制備高度（110）取向的鉑金電極,，發(fā)明方法簡(jiǎn)單,，能夠制備出一致性、重復(fù)性好的高度(110)取向的鐵電薄膜,。該薄膜具有優(yōu)越的介電性能,，可以滿(mǎn)足微電子及MEMS等高技術(shù)應(yīng)用對(duì)鐵電薄膜材料性能的要求，對(duì)鐵電薄膜材料的制備技術(shù)具有重大的影響,。)

應(yīng)用前景

制備的鐵電薄膜可達(dá)到焦平面非制冷型遠(yuǎn)紅外傳感陣列,，微電子領(lǐng)域中動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）、移相器,、延遲線,、調(diào)制濾波器及微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）等領(lǐng)域?qū)﹁F電壓電薄膜的質(zhì)量要求，具有廣闊的應(yīng)用前景,。)