成果信息
圖形化藍寶石襯底技術(shù)（Patterned Sapphire Substrate,，簡稱PSS）可有效減少傳統(tǒng)生產(chǎn)中氮化鎵外延層的外延缺陷，使外延層晶體質(zhì)量明顯提高,，有效提高氮化鎵基LED的光功率。 中科院微電子所針對國內(nèi)外LED生產(chǎn)領(lǐng)域的實際需求,，研制出了擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的電感耦合高密度等離子體刻蝕系統(tǒng),。該設(shè)備采用完全自主知識產(chǎn)權(quán)，打破了國外設(shè)備巨頭對LED工藝關(guān)鍵設(shè)備的技術(shù)壟斷,，對推動國內(nèi)蓬勃發(fā)展的LED產(chǎn)業(yè)具有重大意義,。)
背景介紹
基于氮化鎵材料的高亮度LED(HB-LED)是未來普通照明光源最為重要的技術(shù)，它的應(yīng)用領(lǐng)域包括照明,、手機,、顯示、汽車,、信號燈以及其他許多領(lǐng)域,。到2012年，預(yù)計總的高亮度 LED 市場將輕松超過20億美元,。 )
應(yīng)用前景
該項目正式商業(yè)化生產(chǎn)后,，將打破國外設(shè)備廠商對高端LED設(shè)備的技術(shù)壟斷，服務(wù)國內(nèi)企業(yè)以較低成本獲得國際尖端設(shè)備,，有效降低設(shè)備購置成本,，參與國際化競爭。 項目組計劃募集資金,，用于支撐新開發(fā)設(shè)備的后期技術(shù)改進和測試,，團隊建設(shè)以及為產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)提供基礎(chǔ)設(shè)施保障。同時,，希望能引進市場機構(gòu),，特別是有實力的LED芯片生產(chǎn)企業(yè)，以吸收投資為契機,，引進先進的管理體系,，推動該項目的市場化運營。)
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