成果信息
與傳統(tǒng)“三維溝槽電極硅探測器”相比,，本發(fā)明探測器優(yōu)化了結(jié)構(gòu)類型,，空心四棱環(huán)電極,、中央電極空心柱完全貫穿了整個(gè)硅體,，空心四棱環(huán)電極內(nèi)嵌套有八邊環(huán)電極,，八邊環(huán)電極與空心四棱環(huán)電極的四個(gè)直角相對應(yīng)的邊為四分之一圓弧環(huán),，八邊環(huán)電極的四分之一圓弧環(huán)與空心四棱環(huán)電極的對應(yīng)直角圍合成死區(qū)，在滿足工藝參數(shù)的前提下極大地減小了死區(qū)面積,，提升了探測器的綜合性能,，有效的從工藝結(jié)構(gòu)上避免了弱電場的問題；空心四棱環(huán)電極和中央電極空心柱均為貫穿刻蝕,，能夠從上下兩面進(jìn)行雙面刻蝕,，工作時(shí)，粒子能夠雙面入射,，使得探測器反應(yīng)更為靈敏,。 附圖說明 )
背景介紹
探測器廣泛應(yīng)用于高能物理,、天體物理、航空航天,、軍事,、醫(yī)學(xué)等技術(shù)領(lǐng)域，在高能物理及天體物理應(yīng)用中,，探測器處于強(qiáng)輻照條件下,，因此對探測器本身有嚴(yán)格的要求，要求其具有較強(qiáng)的抗輻照能力,，且漏電流以及全耗盡電壓不能太大,，對于其體積的大小也有不同的要求。傳統(tǒng)的“三維溝槽電極硅探測器”有許多不足之處：其一,，在其正負(fù)極之間的電場分布并不均勻,，且電場線多是曲線，不是最短的直線,，而電子在電場中的運(yùn)動是沿著電場方向的,，進(jìn)而導(dǎo)致電子的漂移距離增加，隨著電子漂移距離的增加,，輻射產(chǎn)生的缺陷能級對電子的影響越大,，導(dǎo)致電信號的衰減；其二,，傳統(tǒng)的“三維溝槽電極硅探測器”在進(jìn)行電極刻蝕時(shí)不能完全的貫穿整個(gè)硅體,，使得探測器有一部分不能刻蝕，稱該部分為“死區(qū)”,，“死區(qū)”部分的電場較弱,，電荷分布不均勻，進(jìn)而影響探測器的性能,；而且“死區(qū)”部分在單個(gè)探測器中占據(jù)10％-30％,，如果是做成列陣，則會占據(jù)更大的比例,。其三,，傳統(tǒng)的“三維溝槽電極硅探測器”只能是在單面進(jìn)行刻蝕。最后,，傳統(tǒng)的“三維溝槽電極硅探測器”在工作時(shí)，粒子也只能是單面入射,。因此提出一種新型的三維溝槽電極硅探測器顯得尤為重要,。)
應(yīng)用前景
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