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一種高防護(hù)等級(jí)雙向可控硅靜電防護(hù)器件及其制作方法


行業(yè)類別:新型電子元器件
所處階段:研究階段
持有單位:湘潭大學(xué)
轉(zhuǎn)讓方式:技術(shù)轉(zhuǎn)讓,技術(shù)許可,
轉(zhuǎn)讓價(jià)格:面議

成果信息

1,、本發(fā)明可根據(jù)防護(hù)等級(jí)的不同進(jìn)行增減N+注入?yún)^(qū)Ⅰ和N+注入?yún)^(qū)Ⅱ的數(shù)量,,即若防護(hù)等級(jí)高,則增加N+注入?yún)^(qū)Ⅰ和N+注入?yún)^(qū)Ⅱ的數(shù)量,,改善器件電流均勻分布的情況,,提高器件的魯棒性,防護(hù)等級(jí)低,,則減少N+注入?yún)^(qū)Ⅰ和N+注入?yún)^(qū)Ⅱ的數(shù)量,,縮小版圖面積。 2,、本發(fā)明的最右側(cè)N+注入?yún)^(qū)Ⅰ與第一P阱右側(cè)邊緣之間的距離S2可調(diào),,通過控制S2的大小來調(diào)節(jié)器件的觸發(fā)電壓,當(dāng)S2增大時(shí),,靜電防護(hù)器件的觸發(fā)電壓也隨之增大,。 3、本發(fā)明的第一P阱與第二P阱之間的距離S1可調(diào),,當(dāng)S1增大時(shí),,使得縱向NPN型三極管的基區(qū)寬度也隨之增大,減小了縱向NPN型三極管的放大倍數(shù),,維持電壓隨之增加,。)

背景介紹

當(dāng)ESD脈沖加在雙向SCR陽極時(shí),N型深阱與第三P+注入?yún)^(qū)形成反偏PN節(jié),。當(dāng)這個(gè)脈沖電壓高于這個(gè)PN結(jié)的雪崩擊穿電壓的時(shí)候,,器件的內(nèi)部就會(huì)產(chǎn)生大量的雪崩電流,,電流的流通路徑為經(jīng)過第二P阱寄生電阻流向了另一端,,既陰極。當(dāng)這個(gè)寄生的阱電阻兩端的電壓高于縱向NPN三極管的cb結(jié)(由第二P阱與第二N注入構(gòu)成)的正向的導(dǎo)通電壓的時(shí)候,,此三極管開啟,。此三極管開通后,為橫向PNP三極管提供基極電流,,橫向PNP三極管也開啟后,,也為縱向NPN三極管提供基極電流,構(gòu)成正反饋回路。所以就算之后沒有雪崩電流,,由于三極管導(dǎo)通,,也可以泄放靜電。雙向SCR為一個(gè)對(duì)稱結(jié)構(gòu),,當(dāng)陰極出現(xiàn)ESD脈沖的時(shí)候,,N型深阱與第二P+注入?yún)^(qū)產(chǎn)生的PN結(jié)雪崩擊穿,使得PNP三極管與NPN三極管先后導(dǎo)通泄放靜電,。但是SCR具有高觸發(fā)電壓以及低維持電壓,,易超出設(shè)計(jì)窗口,容易造成閂鎖,,故需要提高其維持電壓,。但是提高維持電壓的方法,會(huì)降低器件的魯棒性,,所以還需要著重考慮其魯棒性,。)

應(yīng)用前景

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