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成果信息

一種面向TLC型NAND Flash的閾值電壓獲取方法，涉及固態(tài)存儲領(lǐng)域,，為了解決由于NAND Flash的閾值電壓只能通過NAND Flash讀操作來間接測量而導(dǎo)致其可靠性差的問題,。本發(fā)明通過首先將指定數(shù)據(jù)寫入閃存；其次對NAND Flash執(zhí)行READ,？OFFSET操作獲得位翻轉(zhuǎn)數(shù)據(jù),；最后對位翻轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)進行處理和擬合，最終獲得閾值電壓分布模型,。有益效果為利用NAND Flassh中開放的READ,？OFFSET功能，通過控制其讀參考電壓偏移的方法,，找到參考電壓和閾值電壓分布的關(guān)系,，間接測量出NAND Flash閾值電壓分布；通過對不同狀態(tài)的NAND Flash閾值電壓分布測試,，還可以找到其讀干擾,、編程干擾、駐留偏移,、P/E磨損規(guī)律,；可以用來預(yù)測NAND Flash使用壽命，也可以為ECC（Error Cprrection Code）強度匹配提供數(shù)據(jù)支撐,，從而提高SSDs的讀寫性能,。)

背景介紹

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應(yīng)用前景

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