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成果信息

利用自源自偏壓空心陰極放電法沉積DLC薄膜的裝置及基于該裝置沉積DLC薄膜的方法,，涉及沉積DLC薄膜的裝置和方法,，目的是為了克服由于現(xiàn)有技術(shù)所采用方法的局限性，導(dǎo)致無(wú)法靈活地對(duì)工件的局部進(jìn)行鍍膜的問題,，裝置包括籠網(wǎng),、真空室、高壓脈沖電源,、偏壓脈沖電源和解耦裝置,；籠網(wǎng)裝置在待鍍膜工件之間具有間隙且絕緣,，籠網(wǎng)與待鍍膜工件總體構(gòu)成空心陰極放電結(jié)構(gòu),；方法具體步驟如下：步驟一、沉積硅過(guò)渡層,；步驟二,、沉積薄膜。本發(fā)明的有益效果是：裝置簡(jiǎn)單,，籠網(wǎng)大小可以根據(jù)所需鍍膜范圍任意調(diào)節(jié),，能夠滿足不同尺寸表面的局部鍍膜要求，靈活性好,。)

背景介紹

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應(yīng)用前景

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