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成果信息

"本發(fā)明公開(kāi)了一種電壓抑制器，包括N型的襯底,，形成在襯底的上表面的N型的第一外延層,，貫穿第一外延層且與襯底接觸的至少一個(gè)N型的第二外延層,自第一外延層的上表面向下形成的P型的體區(qū)，自體區(qū)的上表面向下形成的埋層以及與埋層鄰接的至少一個(gè)N型的 源區(qū) 形成在第二外延層一側(cè)壁上且位于體區(qū)與第二外延層之間的第一絕緣層,，形成在第一絕緣層的上表面上且延伸至源區(qū)的上表面的至少一個(gè)第二絕緣層,形成在第二外延層的上表面及第二絕緣層的上表面的至少一個(gè)多晶硅層,，形成在第一外延層、多晶硅層和源區(qū)的上表面上的介質(zhì)層,。本發(fā)明還公開(kāi)了一種上述電壓抑制器的制備方法,。其能實(shí)現(xiàn)自啟動(dòng)而不會(huì)被較大的電壓擊穿，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,、成本低,。" )

背景介紹

本發(fā)明公開(kāi)了一種電壓抑制器)

應(yīng)用前景

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