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成果信息

一種瞬態(tài)電壓抑制器包括P型襯底與N型外延層，所述N型外延層包括第一部分與第二部分,，所述瞬態(tài)電壓抑制器還包括形成于所述第一部分表面的第一P型摻雜區(qū)域及形成于所述第二部分表面的第二P型摻雜區(qū)域及形成所述N型外延層、第一P型摻雜區(qū)域及第二P型摻雜區(qū)域上的P型外延層,，所述P型襯底與所述第一部分構(gòu)成第一二極管,，所述P型襯底與所述第二部分構(gòu)成第二二極管，所述第一部分還與所述第一P型摻雜區(qū)域構(gòu)成與所述第一二極管對接的第三二極管,，所述第二部分還與所述第二P型摻雜區(qū)域構(gòu)成與所述第二二極管對接的第四二極管,，所述第一二極管的負極與所述第二二極管的負極相連，所述第三二極管的負極與所述第四二極管的負極相連,。 )

背景介紹

一種瞬態(tài)電壓抑制器包括P型襯底與N型外延層)

應用前景

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